重大突破！第四代半导体迎来新进展 相关a股公司抓住“新风口”

(原标题：重大突破！第四代半导体迎来新进展，相关a股公司抓住“新风口”)

财联社3月15日电(编辑沈超)近年来，屡被“聚焦”的科技创新成为国际科技战略博弈的主战场。其中，半导体领域的技术突破是国际科技战略的制高点。在此背景下，被视为第四代半导体最佳材料之一的氧化镓进入了人们的视野，有望逐渐成为半导体轨道的新出路。

重大突破背后：中国氧化镓产业不断进步

近日，Xi邮电大学新型半导体器件与材料重点实验室陈海峰教授团队在8英寸硅片上成功制备出高质量的氧化镓外延片，标志着该校在超宽带隙半导体研究方面取得了重要进展。事实上，中国对氧化镓产业的研发从未停止。

2月28日，有消息称，中国电科院46所成功制备出国内首块6英寸氧化镓单晶，达到国际最高水平。围绕多面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向，中国电科第四十六研究所氧化镓团队从大尺寸氧化镓热场设计出发，成功构建了适合6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，突破了6英寸氧化镓单晶的生长技术，结晶性能良好，可用于6英寸氧化镓单晶衬底的研制。

2月27日，中国科学技术大学微电子学院龙仕兵教授研究组联合中科院苏州纳米技术研究所加工平台，分别利用氧气氛退火和氮离子注入技术，首次研制出氧化镓垂直沟槽栅场效应晶体管。相关研究成果在线发表《应用物理通信》 《IEEE电子设备通信》。

正是由于越来越多的关注和R&D的努力，中国近年来在氧化镓的制备方面不断取得突破。从去年的2寸到6寸再到最新的8寸，氧化镓的制备技术越来越成熟。

备受关注的氧化镓是什么？

氧化镓是一种无机化合物，别名三氧化镓(Ga2O3)，是一种宽带隙半导体。继以碳化硅和氮化镓为主要成分的第三代半导体之后，氧化镓被视为下一代半导体的最佳材料之一。

第一代半导体是指硅(Si)、锗(Ge)等元素半导体材料；

第二代半导体是指具有高迁移率的半导体材料，如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)。

第三代半导体是指宽带隙半导体材料，如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

第四代半导体是指氧化镓(Ga2O3)、金刚石(C)、氮化铝(AlN)等超宽带隙半导体材料，锑化镓(GaSb)、锑化铟(InSb)等超窄带隙半导体材料。

图：按禁带宽度排序的半导体材料来源：核心列表从图中可以看出，与第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到4.9eV，高于碳化硅(3.2eV)和氮化镓(3.39eV)。更宽的带隙宽度意味着电子从价带跳到导带需要更多的能量，因此氧化镓具有耐高压、耐高温、高功率和高可靠性。而且在相同规格下，可以用宽禁带材料制造更小管芯尺寸和更高功率密度的器件，节省了配套散热和晶圈面积，进一步降低了成本。

中国科学院院士郝跃在接受采访时指出，加利

新湖宝：投资的付嘉镓业专注于第四代半导体材料宽带隙半导体氧化镓的研发。目前已初步建立氧化镓单晶材料设计、热场模拟、单晶生长、晶圆加工等全链路研发能力。现已推出2英寸及以下规格的氧化镓UID(无意掺杂)、导电、绝缘产品。

阿诗创：我们可以根据客户的需求定制氧化镓和氧化镓混合物靶材产品。

南大光电：是全球主要的钼源供应商，部分产品可用于制备氧化镓。

航天电子：全资子公司时代民信公司正在进行氧化镓领域的技术研究和布局。